IGZO 타겟

종래의 비정질 실리콘의 패널 구조로는 실현할 수 없었던 고신뢰성과 고화질의 패널 화상을 가능하게 하는, 산화물 반도체 IGZO의 베이스 재료가 되는 산화물 타겟입니다.
당사는 대형 타겟의 양산화에 성공하여 고객의 요구에 맞는 다양한 조성의 제품을 제공합니다. 또한 제조 방법은 ITO 타겟과 마찬가지로 당사 독자적인 MMF법을 채용하고 있습니다.
* 원통형 타겟의 제공도 가능합니다.
(특성 값은 원통형 타겟 페이지를 참조하십시오)

용도

평면 패널 디스플레이, 터치 패널 용도

특성치

	표준		단위	비고
조성 ^※1	In	1	at ratio	-
	Ga	1		-
	Zn	1		-
순도	IGZO	≧99.99	%	-
상대 밀도	≥99.5		%	-

※1 In:Ga:Zn:O=1:1:1:4 이외에 각종 조성의 제조가 가능합니다.

제조공정

독자제법에 의한 소결체 MMF™로 만들어진 초고밀도 스퍼터링 타겟

당사 독자적인 신제법(슬러리 성형 기술)입니다.

특성

Nodules 의 감소
파티클, 금속 이물질 감소
이상 방전(아킹) 감소

⇒고객의 생산효율향상・비용절감에 공헌.

생산 거점

일본:후쿠오카현 오무타시 대자 당선 2081(미이케 타겟 공장)
대만：타이중시 梧棲區緯五路6號 (대만 특격 가랑이 유한 공사)

제품 일람